스팬션, 후지쯔에 자사 생산공장인 JV1 및 JV2 매각

• 두개 생산시설을 현금 1억 5천만 달러에 매각, 매각된 JV1 및 JV2 공장은 파운드리 방식으로 스팬션 플래시 메모리 생산 지속

2006년 9월 28일 - 세계적인 플래시 메모리 전문기업인 스팬션은 오늘 서울 삼성동 그랜드 인터콘티넨탈 호텔에서 열린 미러비트 쿼드 기술 발표 기자간담회 장에서 일본 아이주-와카마츠에 소재한 스팬션 재팬의 기존 제조공장인 JV1 및 JV2를 후지쯔에 매각한다고 발표했다.

양사의 합의에 따라 후지쯔는 현금 1억5천만 달러를 2007년 2분기 중에 지급하게 되며, 매각된 두 공장은 파운드리 (수탁가공) 방식을 통해 스팬션의 플래시 메모리 제품을 생산하게 된다.

이와 함께 스팬션은 스팬션의 또 다른 제조공장인 JV3는 스팬션의 플래시 메모리 생산의 핵심 공장으로서 가동되게 된다고 밝혔다.

이번 공장의 매각으로 스팬션은 기존 플래시 메모리 제품을 지속 생산해 고객에게 공급하면서도 첨단 기술에 대한 투자에 집중할 수 있게 되었으며, 후지쯔는 JV1 및 JV2 시설과 함께 숙련된 인력을 자사의 로직 제품 생산에 활용할 수 있게 되었다.

기존 JV1 및 JV2 인력들은 스팬션 및 후지쯔에 의해 고용의 유지될 예정이며, 스팬션은 현재 건설 중인 최첨단 300mm SP1 공장에 숙련된 인력을 배치하여, 45nm 기반의 미러비트 제품군 생산을 가속화해 나갈 계획이다.

한편 이번 매각 이후 스팬션의 생산시설 및 현황은 다음과 같다.

• 미국 텍사스 오스틴 소재의 Fab 25 - 90nm 미러비트 제품 생산, 2007년 중 65nm 미러비트 제품 생산 예정
• 일본 아이주-와카마츠 소재의 JV3 - 110nm 미러비트 제품군 생산
• 일본 아이주-와카마츠 소재의 SP1 - 300mm 웨이퍼 사용 45nm 미러비트 제품군 생산 예정, (2007년에는 시장상황에 따라 65nm 미러비트 제품군 생산 계획)
• TSMC와 파운드리 계약을 통한 110nm 및 90nm 미러비트 제품군 생산
• 매각된 JV1 및 JV2는 후지쯔와 파운드리 계약을 통해 기존제품군 생산