키옥시아와 웨스턴디지털은 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다고 발표했다. 20년간 파트너십을 이어온 키옥시아와 웨스턴디지털은 폭넓은 기술및 제조 혁신을 바탕으로 최신 3D 플래시 메모리 기술을개발, 양사의 역대 최고 밀도를 달성하게 됐다.

이번에 발표된 6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8스태거(eight-stagger) 구조의 메모리 홀 어레이를 능가하는 고도화된 아키텍처와 5세대 대비 10% 증가한측면 셀 어레이 밀도를 특징으로 한다. 이러한 측면 미세화의 발전은 162단 수직 적층 메모리와 결합해, 112단 적층 기술 대비 40% 감소된 다이(die) 크기와 이를 통한 비용최적화를 지원한다.  

키옥시아와 웨스턴디지털은 6세대 3D 플래시메모리에 ‘서킷 언더 어레이(Circuit Under Array)’ CMOS 배치와 ‘4플레인(four-plane)’ 방식을 함께 적용해 이전 세대 대비 2.4배가량 향상된 프로그램 성능과 10%의 읽기 지연 시간(read latency) 개선을 달성했다. 입출력(I/O) 성능 또한 66% 향상돼, 한층 빠른 전송 속도에 대한 수요가 끊임없이 증가하고 있는상황에서 차세대 인터페이스를 지원 가능하다.  

6세대 3D 플래시 메모리 기술은 비트당 비용 절감을 지원할 뿐 아니라, 웨이퍼당 비트 생산 또한 이전 세대 대비 70% 증가시킨다. 키옥시아와 웨스턴디지털은 이처럼 고객의 니즈와 다양한 용도를 충족할 수 있도록 지속적인 미세화를 이어가고 있다.

김원영 기자 goora@noteforum.co.kr

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