삼성전자가 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 6기가비트(Gb) 모바일 D램을 본격적으로 양산하기 시작했다.

삼성전자는 지난 3월 업계 최초로 컴퓨터용 20나노 4기가비트 DDR3 D램을 양산한 데 이어, 이번에 모바일 D램까지 20나노 제품을 양산함으로써 20나노 D램 시대를 열었다.

▲ 세계 최초 20nm 공정의 모바일 D램 (6Gb LPDDR3)

20나노 6기가비트 LPDDR3 모바일 D램은 초소형 칩으로 더욱 작고 얇은 패키지는 물론, 인터페이스 최고 속도인 초당 2,133Mb로 데이터를 전송하면서도 소비전력을 더욱 낮춤으로써 최고 수준의 '초박형, 초소형, 초고속' 3기가바이트(GB) 솔루션을 제공한다.

3기가바이트 제품은 6기가비트 모바일 D램 칩 4개를 하나의 패키지에 적층해 모바일 AP와 함께 POP(Package on Package) 형태로 고사양 스마트폰에 주로 탑재되는 제품으로, 삼성전자가 지난해 11월 업계 최초로 양산을 시작했다.

특히 20나노 모바일 D램은 기존 양산 제품보다 생산성을 30% 이상 높여 향후 하이엔드 스마트폰과 태블릿은 물론 웨어러블 기기 등 빠르게 증가하고 있는 대용량 모바일 D램 시장을 선점할 수 있을 것으로 기대된다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀장 백지호 상무는 "이번 20나노 모바일 D램은 시장 비중이 더욱 확대되고 있는 고성능 모바일 D램 시장을 선도해 나갈 가장 앞선 제품"이라며, "향후에도 프리미엄 시장은 물론 보급형 모바일 시장까지 적용할 수 있는 차세대 솔루션을 선행 출시해 사업 위상을 지속적으로 높여 나갈 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 20나노 모바일 D램 라인업(8기가/6기가/4기가)을 연이어 출시해 프리미엄 대용량 모바일 D램 시장을 지속 선점해 나간다는 전략이다.

이진성 기자 mount@noteforum.co.kr

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